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STF7N105K5

STF7N105K5

僅供參考

型號 STF7N105K5
PNEDA編號 STF7N105K5
描述 MOSFET N-CH 1050V 4A TO220FP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,172
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STF7N105K5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STF7N105K5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STF7N105K5, STF7N105K5數據表 (總頁數: 14, 大小: 736.8 KB)
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STF7N105K5規格

制造商STMicroelectronics
系列SuperMESH5™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1050V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds380pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)25W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220FP
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

198mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.3nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±9V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

714pF @ 30V

FET功能

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功耗(最大值)

900mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

59A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1210pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

57W (Tc)

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安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

380pF @ 30V

FET功能

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功耗(最大值)

2W (Ta), 35W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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