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STFU18N65M2

STFU18N65M2

僅供參考

型號 STFU18N65M2
PNEDA編號 STFU18N65M2
描述 MOSFET N-CH 650V 12A
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 18,672
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 26 - 三月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STFU18N65M2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STFU18N65M2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STFU18N65M2, STFU18N65M2數據表 (總頁數: 12, 大小: 563.59 KB)
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STFU18N65M2規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ M2
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs330mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds770pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)25W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220FP
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 2.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 1.4A, 2.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

0.95V @ 3.7µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.6nC @ 2.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

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1.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

568mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

450pF @ 25V

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-

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