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STGD10NC60HDT4

STGD10NC60HDT4

僅供參考

型號 STGD10NC60HDT4
PNEDA編號 STGD10NC60HDT4
描述 IGBT 600V 20A 62W D2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 4,788
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 20 - 二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGD10NC60HDT4資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGD10NC60HDT4
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
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STGD10NC60HDT4規格

制造商STMicroelectronics
系列PowerMESH™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)20A
電流-集電極脈沖(Icm)30A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 5A
功率-最大62W
開關能量31.8µJ (on), 95µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用19.2nC
25°C時的Td(開/關)14.2ns/72ns
測試條件390V, 5A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)22ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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當前-集電極(Ic)(最大值)

21A

電流-集電極脈沖(Icm)

24A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 8A

功率-最大

100W

開關能量

200µJ (on), 90µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

30nC

25°C時的Td(開/關)

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400V, 8A, 50Ohm, 15V

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

5V @ 4V, 150A

功率-最大

1.2W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

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反向恢復時間(trr)

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.81V @ 15V, 40A

功率-最大

268W

開關能量

1.22mJ (on), 440µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

68nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/64ns

測試條件

400V, 40A, 6Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

101ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

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制造商

IXYS

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

2500V

當前-集電極(Ic)(最大值)

23A

電流-集電極脈沖(Icm)

105A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.1V @ 15V, 20A

功率-最大

100W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

53nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

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