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STGD3NB60SDT4

STGD3NB60SDT4

僅供參考

型號 STGD3NB60SDT4
PNEDA編號 STGD3NB60SDT4
描述 IGBT 600V 6A 48W DPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 7,488
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGD3NB60SDT4資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGD3NB60SDT4
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGD3NB60SDT4, STGD3NB60SDT4數據表 (總頁數: 9, 大小: 307.21 KB)
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STGD3NB60SDT4規格

制造商STMicroelectronics
系列PowerMESH™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)6A
電流-集電極脈沖(Icm)25A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.5V @ 15V, 3A
功率-最大48W
開關能量1.15mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用18nC
25°C時的Td(開/關)125µs/-
測試條件480V, 3A, 1kOhm, 15V
反向恢復時間(trr)1.7µs
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

90A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 30A

功率-最大

339W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

208nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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反向恢復時間(trr)

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安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

33A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 30A

功率-最大

76W

開關能量

570µJ (on), 500µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

64nC

25°C時的Td(開/關)

33ns/105ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

95ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

16A

電流-集電極脈沖(Icm)

18A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 6A

功率-最大

77W

開關能量

56µJ (on), 122µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

13nC

25°C時的Td(開/關)

27ns/75ns

測試條件

400V, 6A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

74ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

55A

電流-集電極脈沖(Icm)

90A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 30A

功率-最大

188W

開關能量

280µJ (on), 70µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

65nC

25°C時的Td(開/關)

19ns/170ns

測試條件

400V, 15A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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