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STGW25M120DF3

STGW25M120DF3

僅供參考

型號 STGW25M120DF3
PNEDA編號 STGW25M120DF3
描述 IGBT 1200V 50A 375W
制造商 STMicroelectronics
單價
1 ---------- $52.3448
100 ---------- $49.8912
250 ---------- $47.4375
500 ---------- $44.9838
750 ---------- $42.9391
1,000 ---------- $40.8944
庫存 445
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 17 - 三月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGW25M120DF3資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGW25M120DF3
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGW25M120DF3, STGW25M120DF3數據表 (總頁數: 16, 大小: 482.42 KB)
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STGW25M120DF3規格

制造商STMicroelectronics
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
電流-集電極脈沖(Icm)100A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.3V @ 15V, 25A
功率-最大375W
開關能量850µJ (on), 1.3mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用85nC
25°C時的Td(開/關)28ns/150ns
測試條件600V, 25A, 15Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)265ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247-3

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

73A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 40A

功率-最大

272W

開關能量

1.05mJ (on), 1.03mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

48nC

25°C時的Td(開/關)

37ns/112ns

測試條件

400V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 20A

功率-最大

168W

開關能量

77µJ (on), 170µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/139ns

測試條件

400V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247-3

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

45A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 15A

功率-最大

250W

開關能量

900µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

90nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/183ns

測試條件

400V, 15A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

110ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

PG-TO252-3

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

62A

電流-集電極脈沖(Icm)

84A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 20A

功率-最大

625W

開關能量

298µJ (on), 147µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

270nC

25°C時的Td(開/關)

35ns/142ns

測試條件

400V, 20A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

41ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247AD

制造商

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系列

-

IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.4V @ 15V, 15A

功率-最大

150W

開關能量

1.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

57nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/148ns

測試條件

960V, 15A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247AD (IXSH)

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