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STGWA75M65DF2

STGWA75M65DF2

僅供參考

型號 STGWA75M65DF2
PNEDA編號 STGWA75M65DF2
描述 TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 15,228
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 15 - 三月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGWA75M65DF2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGWA75M65DF2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGWA75M65DF2, STGWA75M65DF2數據表 (總頁數: 18, 大小: 1,019.14 KB)
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STGWA75M65DF2規格

制造商STMicroelectronics
系列M
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)120A
電流-集電極脈沖(Icm)225A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 75A
功率-最大468W
開關能量690µJ (on), 2.54mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用225nC
25°C時的Td(開/關)47ns/125ns
測試條件400V, 75A, 3.3Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)165ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247 Long Leads

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當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

40A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.8V @ 15V, 10A

功率-最大

140W

開關能量

6mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

30nC

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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工作溫度

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安裝類型

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制造商

STMicroelectronics

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

90A

電流-集電極脈沖(Icm)

220A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 30A

功率-最大

270W

開關能量

333µJ (on), 537µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

126nC

25°C時的Td(開/關)

33ns/178ns

測試條件

390V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

45ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

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電流-集電極脈沖(Icm)

260A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 70A

功率-最大

595W

開關能量

1.51mJ (on), 1.46mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

305nC

25°C時的Td(開/關)

19ns/170ns

測試條件

433V, 70A, 4.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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