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STL105NS3LLH7

STL105NS3LLH7

僅供參考

型號 STL105NS3LLH7
PNEDA編號 STL105NS3LLH7
描述 MOSFET N-CH 30V 27A PWRFLAT56
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,762
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STL105NS3LLH7資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STL105NS3LLH7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STL105NS3LLH7, STL105NS3LLH7數據表 (總頁數: 16, 大小: 243.51 KB)
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STL105NS3LLH7規格

制造商STMicroelectronics
系列DeepGATE™, STripFET™ VII
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)105A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.9mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 1mA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13.7nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2110pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)62.5W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerFlat™ (5x6)
包裝/箱8-PowerVDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1000pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 18A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

122nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13200pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta), 40W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

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111nC @ 10V

Vgs(最大)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

195mOhm @ 770mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

500mW (Ta)

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安裝類型

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