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STL110N10F7

STL110N10F7

僅供參考

型號 STL110N10F7
PNEDA編號 STL110N10F7
描述 MOSFET N-CH 100V 21A PWRFLAT5X6
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 27,096
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STL110N10F7資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STL110N10F7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STL110N10F7, STL110N10F7數據表 (總頁數: 13, 大小: 701.51 KB)
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STL110N10F7規格

制造商STMicroelectronics
系列DeepGATE™, STripFET™ VII
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)107A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs72nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5117pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)136W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerFlat™ (5x6)
包裝/箱8-PowerVDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.65V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

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FET類型

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 6.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.4nC @ 8V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

887pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.15W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

88mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

340pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.1W (Ta), 1.8W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

303pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.1W (Ta)

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FET功能

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功耗(最大值)

2.9W (Tc)

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