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STL12N3LLH5

STL12N3LLH5

僅供參考

型號 STL12N3LLH5
PNEDA編號 STL12N3LLH5
描述 MOSFET N-CH 30V 12A POWERFLAT
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,390
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STL12N3LLH5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STL12N3LLH5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STL12N3LLH5, STL12N3LLH5數據表 (總頁數: 11, 大小: 447.36 KB)
PDFSTL12N3LLH5數據表 封面
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STL12N3LLH5規格

制造商STMicroelectronics
系列STripFET™ V
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 4.5V
Vgs(最大)±22V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1500pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerFlat™ (3.3x3.3)
包裝/箱8-PowerVDFN

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1045pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

55W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PowerPAK® SO-8

包裝/箱

8-PowerTDFN

STP160N3LL

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

STripFET™ H6

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.2mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

136W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 135µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

420pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

38W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

51A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 37A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

290nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

480W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

570mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1550pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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