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STL13N65M2

STL13N65M2

僅供參考

型號 STL13N65M2
PNEDA編號 STL13N65M2
描述 MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,780
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STL13N65M2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STL13N65M2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STL13N65M2, STL13N65M2數據表 (總頁數: 16, 大小: 636.79 KB)
PDFSTL13N65M2數據表 封面
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STL13N65M2規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ M2
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs475mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds590pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)52W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerFlat™ (5x6) HV
包裝/箱8-PowerVDFN

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

93A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

18V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28.6mOhm @ 36A, 18V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.6V @ 18.2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

133nC @ 18V

Vgs(最大)

+22V, -4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2208pF @ 500V

FET功能

-

功耗(最大值)

339W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-247N

包裝/箱

TO-247-3

SFP9530

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1035pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

66W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220-3

包裝/箱

TO-220-3

NTF3055L108T3G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 1.5A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

440pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

400nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

560W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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