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STL6N3LLH6

STL6N3LLH6

僅供參考

型號 STL6N3LLH6
PNEDA編號 STL6N3LLH6
描述 MOSFET N-CH 30V PWRFLT2X2
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 7,110
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 21 - 六月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STL6N3LLH6資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STL6N3LLH6
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STL6N3LLH6, STL6N3LLH6數據表 (總頁數: 13, 大小: 920.76 KB)
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STL6N3LLH6規格

制造商STMicroelectronics
系列DeepGATE™, STripFET™ VI
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs25mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.6nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds283pF @ 24V
FET功能-
功耗(最大值)2.4W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerFlat™ (2x2)
包裝/箱6-PowerWDFN

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 33A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

135nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2500pF @ 25V

FET功能

-

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.24mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4616pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

48.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.15V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3096pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

106W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.3Ohm @ 2.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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