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STL8DN10LF3

STL8DN10LF3

僅供參考

型號 STL8DN10LF3
PNEDA編號 STL8DN10LF3
描述 MOSFET 2N-CH 100V 20A 5X6
制造商 STMicroelectronics
單價
1 ---------- $27.8588
100 ---------- $26.5529
250 ---------- $25.2471
500 ---------- $23.9412
750 ---------- $22.8529
1,000 ---------- $21.7647
庫存 989
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STL8DN10LF3資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STL8DN10LF3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
STL8DN10LF3, STL8DN10LF3數據表 (總頁數: 18, 大小: 1,021.06 KB)
PDFSTL8DN10LF3數據表 封面
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STL8DN10LF3規格

制造商STMicroelectronics
系列Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A
Rds On(Max)@ Id,Vgs35mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20.5nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds970pF @ 25V
功率-最大70W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerVDFN
供應商設備包裝PowerFlat™ (5x6)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

64mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

460pF @ 6V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.56nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 16V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

350mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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