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STP10NK80Z

STP10NK80Z

僅供參考

型號 STP10NK80Z
PNEDA編號 STP10NK80Z
描述 MOSFET N-CH 800V 9A TO-220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 13,356
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STP10NK80Z資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STP10NK80Z
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STP10NK80Z, STP10NK80Z數據表 (總頁數: 17, 大小: 439.75 KB)
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STP10NK80Z規格

制造商STMicroelectronics
系列SuperMESH™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs900mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs72nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2180pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)190W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta), 50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3.8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 14.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

823pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

51nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2700pF @ 25V

FET功能

-

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

71nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3200pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

5.2W (Ta), 69W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

49A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35.8nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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60W (Tc)

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