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STP220N6F7

STP220N6F7

僅供參考

型號 STP220N6F7
PNEDA編號 STP220N6F7
描述 MOSFET N-CH 60V 120A TO-220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,442
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STP220N6F7資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STP220N6F7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STP220N6F7, STP220N6F7數據表 (總頁數: 13, 大小: 555.3 KB)
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STP220N6F7規格

制造商STMicroelectronics
系列STripFET™ F7
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs100nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6400pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)237W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220
包裝/箱TO-220-3

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 6.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

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450mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

760mOhm @ 400mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

45pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

190mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

460mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 300µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

870pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

83.3W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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