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STP28N60M2

STP28N60M2

僅供參考

型號 STP28N60M2
PNEDA編號 STP28N60M2
描述 MOSFET N-CH 600V 24A TO-220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 17,928
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 13 - 六月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STP28N60M2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STP28N60M2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STP28N60M2, STP28N60M2數據表 (總頁數: 21, 大小: 1,114.91 KB)
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STP28N60M2規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ II Plus
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)24A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs150mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs37nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1370pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)170W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220
包裝/箱TO-220-3

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47A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 44A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

190nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6800pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250Ohm @ 100µA, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3.5pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

375mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

63A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 31.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

205nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9165pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

595W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

195mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28.51nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

800mW (Ta), 25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1801pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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