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STP4NB100

STP4NB100

僅供參考

型號 STP4NB100
PNEDA編號 STP4NB100
描述 MOSFET N-CH 1KV 3.8A TO-220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 7,236
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STP4NB100資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STP4NB100
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STP4NB100, STP4NB100數據表 (總頁數: 9, 大小: 309.74 KB)
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STP4NB100規格

制造商STMicroelectronics
系列PowerMESH™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1000V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.4Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs45nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1400pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)125W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.6A (Ta), 34.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.9mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

702pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.2A (Ta), 15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

877pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 9.6W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Infineon Technologies

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

330mOhm @ 9.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 750µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

84nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1820pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

156W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.3mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1590pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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功耗(最大值)

1.5W (Ta)

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