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STP9N60M2

STP9N60M2

僅供參考

型號 STP9N60M2
PNEDA編號 STP9N60M2
描述 MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,678
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 15 - 四月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STP9N60M2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STP9N60M2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STP9N60M2, STP9N60M2數據表 (總頁數: 21, 大小: 1,473.21 KB)
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STP9N60M2規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ II Plus
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs780mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds320pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)60W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220
包裝/箱TO-220-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

235mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

830pF @ 25V

FET功能

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100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

49nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2754pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

117W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

54nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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