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STQ1HNK60R-AP

STQ1HNK60R-AP

僅供參考

型號 STQ1HNK60R-AP
PNEDA編號 STQ1HNK60R-AP
描述 MOSFET N-CH 600V 400MA TO-92
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 29,280
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 15 - 四月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STQ1HNK60R-AP資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STQ1HNK60R-AP
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STQ1HNK60R-AP, STQ1HNK60R-AP數據表 (總頁數: 16, 大小: 466.35 KB)
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STQ1HNK60R-AP規格

制造商STMicroelectronics
系列SuperMESH™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)400mA (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.7V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds156pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-92-3
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

490pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

680mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Through Hole

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

372pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

104W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

28.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1847pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

74W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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