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STS2DNF30L

STS2DNF30L

僅供參考

型號 STS2DNF30L
PNEDA編號 STS2DNF30L
描述 MOSFET 2N-CH 30V 3A 8SOIC
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 41,340
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STS2DNF30L資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STS2DNF30L
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
STS2DNF30L, STS2DNF30L數據表 (總頁數: 12, 大小: 293.47 KB)
PDFSTS2DNF30L數據表 封面
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STS2DNF30L規格

制造商STMicroelectronics
系列STripFET™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs110mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.5nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds121pF @ 25V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2130pF @ 10V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2550pF @ 15V

功率-最大

3W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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