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STW21N65M5

STW21N65M5

僅供參考

型號 STW21N65M5
PNEDA編號 STW21N65M5
描述 MOSFET N-CH 650V 17A TO-247
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 7,416
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 14 - 四月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STW21N65M5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STW21N65M5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STW21N65M5, STW21N65M5數據表 (總頁數: 22, 大小: 1,433.91 KB)
PDFSTW21N65M5數據表 封面
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STW21N65M5規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ V
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)17A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs190mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs50nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1950pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)125W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247-3
包裝/箱TO-247-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.25mOhm @ 123A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

111nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

200W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

392nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 25V

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-

功耗(最大值)

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7.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

2.5W (Tc)

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