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STW23N80K5

STW23N80K5

僅供參考

型號 STW23N80K5
PNEDA編號 STW23N80K5
描述 MOSFET N-CH 800V 16A
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 28,062
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STW23N80K5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STW23N80K5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STW23N80K5, STW23N80K5數據表 (總頁數: 12, 大小: 694 KB)
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STW23N80K5規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ K5
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)16A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs280mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs33nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1000pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)190W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247
包裝/箱TO-247-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.3A (Ta), 53A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1954pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

920mW (Ta), 30W (Tc)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 3.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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