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SUP28N15-52-E3

SUP28N15-52-E3

僅供參考

型號 SUP28N15-52-E3
PNEDA編號 SUP28N15-52-E3
描述 MOSFET N-CH 150V 28A TO220AB
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 2,160
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SUP28N15-52-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SUP28N15-52-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SUP28N15-52-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)28A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs52mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs40nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1725pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.75W (Ta), 120W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 1.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Ta), 185A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 17.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 850µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 10V

Vgs(最大)

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