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TC8020K6-G-M937

TC8020K6-G-M937

僅供參考

型號 TC8020K6-G-M937
PNEDA編號 TC8020K6-G-M937
描述 MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 3,042
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TC8020K6-G-M937資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TC8020K6-G-M937
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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TC8020K6-G-M937規格

制造商Microchip Technology
系列-
FET類型6 N and 6 P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs8Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds50pF @ 25V
功率-最大-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱56-VFQFN Exposed Pad
供應商設備包裝56-QFN (8x8)

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-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

608.4pF @ 6V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 880mA, 2.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

750mV @ 1.6µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.26nC @ 2.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

78pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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