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TH58BYG2S3HBAI6

TH58BYG2S3HBAI6

僅供參考

型號 TH58BYG2S3HBAI6
PNEDA編號 TH58BYG2S3HBAI6
描述 IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
制造商 Toshiba Memory America, Inc.
單價 請求報價
庫存 7,980
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TH58BYG2S3HBAI6資源

品牌 Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TH58BYG2S3HBAI6
類別半導體內存IC內存

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TH58BYG2S3HBAI6規格

制造商Toshiba Memory America, Inc.
系列Benand™
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND (SLC)
內存大小4Gb (512M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁25ns
訪問時間25ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱67-VFBGA
供應商設備包裝67-VFBGA (6.5x8)

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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內存接口

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寫周期-字,頁

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電壓-供電

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工作溫度

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內存類型

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內存格式

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內存接口

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時鐘頻率

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