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THGBMHG7C2LBAIL

THGBMHG7C2LBAIL

僅供參考

型號 THGBMHG7C2LBAIL
PNEDA編號 THGBMHG7C2LBAIL
描述 IC FLASH MEM MMC 153FBGA
制造商 Toshiba Memory America, Inc.
單價 請求報價
庫存 3,438
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

THGBMHG7C2LBAIL資源

品牌 Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號THGBMHG7C2LBAIL
類別半導體內存IC內存
數據表
THGBMHG7C2LBAIL, THGBMHG7C2LBAIL數據表 (總頁數: 20, 大小: 2,312.2 KB)
PDFTHGBMHG8C4LBAW7數據表 封面
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  • THGBMHG7C2LBAIL Distributor

THGBMHG7C2LBAIL規格

制造商Toshiba Memory America, Inc.
系列-
內存類型-
內存格式-
技術-
內存大小-
內存接口-
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電-
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱-
供應商設備包裝153-WFBGA (11.5x13)

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內存格式

FLASH

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內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

14ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Renesas Electronics America

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-

內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFBGA

供應商設備包裝

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Alliance Memory, Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM

內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

2ns

訪問時間

5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存格式

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內存大小

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內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

50µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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