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THGBMHG9C8LBAWG

THGBMHG9C8LBAWG

僅供參考

型號 THGBMHG9C8LBAWG
PNEDA編號 THGBMHG9C8LBAWG
描述 IC FLASH 512GBIT MMC 153WFBGA
制造商 Toshiba Memory America, Inc.
單價 請求報價
庫存 4,950
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

THGBMHG9C8LBAWG資源

品牌 Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號THGBMHG9C8LBAWG
類別半導體內存IC內存
數據表
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THGBMHG9C8LBAWG規格

制造商Toshiba Memory America, Inc.
系列e•MMC™
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小512Gb (64G x 8)
內存接口eMMC
時鐘頻率52MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱153-WFBGA
供應商設備包裝153-WFBGA (11.5x13)

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.4ns

電壓-供電

1.71V ~ 1.89V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

48-DIP (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

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Alliance Memory, Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

400ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

128Kb (8K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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