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TIP107G

TIP107G

僅供參考

型號 TIP107G
PNEDA編號 TIP107G
描述 TRANS PNP DARL 100V 8A TO220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 117,804
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TIP107G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TIP107G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
TIP107G, TIP107G數據表 (總頁數: 7, 大小: 204.12 KB)
PDFTIP100G數據表 封面
TIP100G數據表 頁面 2 TIP100G數據表 頁面 3 TIP100G數據表 頁面 4 TIP100G數據表 頁面 5 TIP100G數據表 頁面 6 TIP100G數據表 頁面 7

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TIP107G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2.5V @ 80mA, 8A
當前-集電極截止(最大值)50µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 3A, 4V
功率-最大2W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 375mA, 7.5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 330mA, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

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工作溫度

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Through Hole

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900V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 20mA, 10V

功率-最大

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

5.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

240mV @ 275mA, 5.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 2A, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

130MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Nexperia USA Inc.

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10mV

功率-最大

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工作溫度

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