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TIP35C

TIP35C

僅供參考

型號 TIP35C
PNEDA編號 TIP35C_6B
描述 TRANS NPN 100V 25A TO218AC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,538
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TIP35C資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TIP35C
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
TIP35C, TIP35C數據表 (總頁數: 10, 大小: 245.12 KB)
PDFTIP36C數據表 封面
TIP36C數據表 頁面 2 TIP36C數據表 頁面 3 TIP36C數據表 頁面 4 TIP36C數據表 頁面 5 TIP36C數據表 頁面 6 TIP36C數據表 頁面 7 TIP36C數據表 頁面 8 TIP36C數據表 頁面 9 TIP36C數據表 頁面 10

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TIP35C規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)25A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic4V @ 5A, 25A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce15 @ 15A, 4V
功率-最大125W
頻率-過渡3MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-218-3
供應商設備包裝SOT-93

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制造商

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 100mA, 2V

功率-最大

430mW

頻率-過渡

450MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 6mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 3A, 3V

功率-最大

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制造商

ON Semiconductor

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 500mA, 2V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

Nexperia USA Inc.

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 40mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

140 @ 100mA, 5V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

65MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

200mW

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