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TIS74

TIS74

僅供參考

型號 TIS74
PNEDA編號 TIS74
描述 JFET N-CH 30V 0.35W TO92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 22 - 四月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TIS74資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TIS74
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
TIS74, TIS74數據表 (總頁數: 5, 大小: 44.92 KB)
PDFTIS74數據表 封面
TIS74數據表 頁面 2 TIS74數據表 頁面 3 TIS74數據表 頁面 4 TIS74數據表 頁面 5

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TIS74規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)30V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)20mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID2V @ 4nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds18pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS(On)40 Ohms
功率-最大350mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

16mA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

50mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

300mV @ 100µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10.5pF @ 5V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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N-Channel

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40V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

50mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 20V

電阻-RDS(On)

30 Ohms

功率-最大

1.8W

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

90mA @ 18V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

10V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

25pF @ 15V

電阻-RDS(On)

75 Ohms

功率-最大

500mW

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

107µA @ 2V

電流消耗(Id)-最大

2mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

100mW

工作溫度

-20°C ~ 80°C (TA)

安裝類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

900µA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

工作溫度

-

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