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TK14C65W,S1Q

TK14C65W,S1Q

僅供參考

型號 TK14C65W,S1Q
PNEDA編號 TK14C65W-S1Q
描述 MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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庫存 6,966
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TK14C65W資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TK14C65W,S1Q
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TK14C65W規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列DTMOSIV
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)13.7A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs250mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 690µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs35nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1300pF @ 300V
FET功能-
功耗(最大值)130W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I2PAK
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

950pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2569pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 14.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

86W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.2mOhm @ 46A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 46µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2500pF @ 50V

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功耗(最大值)

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