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TK7A50D(STA4,Q,M)

TK7A50D(STA4,Q,M)

僅供參考

型號 TK7A50D(STA4,Q,M)
PNEDA編號 TK7A50D-STA4-Q-M
描述 MOSFET N-CH 500V 7A TO-220SIS
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 7,452
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TK7A50D(STA4資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TK7A50D(STA4,Q,M)
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TK7A50D(STA4規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列π-MOSVII
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.22Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds600pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)35W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220SIS
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

48A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 24A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

137nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6460pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

625W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1595pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Ta), 27.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

399mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

646pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

198W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

34A (Ta), 85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

86nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4646pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

7.4W (Ta), 208W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET功能

-

功耗(最大值)

4.1W (Ta), 34.5W (Tc)

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