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TP65H070LSG

TP65H070LSG

僅供參考

型號 TP65H070LSG
PNEDA編號 TP65H070LSG
描述 650 V 25 A GAN FET
制造商 Transphorm
單價 請求報價
庫存 7,692
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TP65H070LSG資源

品牌 Transphorm
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TP65H070LSG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TP65H070LSG規格

制造商Transphorm
系列TP65H070L
FET類型N-Channel
技術GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)25A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs85mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.8V @ 700µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9.3nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds600pF @ 400V
FET功能-
功耗(最大值)96W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝3-PQFN (8x8)
包裝/箱3-PowerDFN

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 3.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SC-70-6 (SOT-363)

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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FET類型

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

130A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.4mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

135nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9895pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

18V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 27A, 18V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.6V @ 13.3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

104nC @ 18V

Vgs(最大)

+22V, -4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1526pF @ 500V

FET功能

-

功耗(最大值)

262W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

66nC @ 5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4700pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

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