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TPC6011(TE85L,F,M)

TPC6011(TE85L,F,M)

僅供參考

型號 TPC6011(TE85L,F,M)
PNEDA編號 TPC6011-TE85L-F-M
描述 MOSFET N-CH 30V 6A VS6
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 2,052
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPC6011(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPC6011(TE85L,F,M)
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TPC6011(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSIV
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs20mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds640pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)700mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝VS-6 (2.9x2.8)
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

75W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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制造商

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

190A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.9mOhm @ 110A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11490pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

370W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Ta), 136A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.1mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3071pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 64W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.15V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

170nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10180pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

270W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

116nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7295pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta), 227W (Tc)

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