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TPH2R608NH,L1Q

TPH2R608NH,L1Q

僅供參考

型號 TPH2R608NH,L1Q
PNEDA編號 TPH2R608NH-L1Q
描述 MOSFET N-CH 75V 150A SOP8
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 3,780
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPH2R608NH資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPH2R608NH,L1Q
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TPH2R608NH規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSVIII-H
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)75V
電流-25°C時的連續漏極(Id)150A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs72nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6000pF @ 37.5V
FET功能-
功耗(最大值)142W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOP Advance (5x5)
包裝/箱8-PowerVDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

150mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.7Ohm @ 80mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.58nC @ 10V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7mOhm @ 55A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6210pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

42W (Tc)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

140A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

200W (Tc)

工作溫度

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 9A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

930pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 88W (Tc)

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-55°C ~ 175°C (TJ)

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Surface Mount

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