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TSM60N900CI C0G

TSM60N900CI C0G

僅供參考

型號 TSM60N900CI C0G
PNEDA編號 TSM60N900CI-C0G
描述 MOSFET N-CH 600V 4.5A ITO220
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 21,660
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TSM60N900CI C0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TSM60N900CI C0G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TSM60N900CI C0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs900mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9.7nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds480pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)50W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝ITO-220AB
包裝/箱TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12.7A (Ta), 55A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.3mOhm @ 12.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2560pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 8.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 440µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1670pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

156W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

33A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1750pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

144W (Tc)

工作溫度

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