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TSM680P06DPQ56 RLG

TSM680P06DPQ56 RLG

僅供參考

型號 TSM680P06DPQ56 RLG
PNEDA編號 TSM680P06DPQ56-RLG
描述 MOSFET 2 P-CH 60V 12A 8PDFN
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 47,976
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TSM680P06DPQ56 RLG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TSM680P06DPQ56 RLG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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TSM680P06DPQ56 RLG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs68mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs16.4nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds870pF @ 30V
功率-最大3.5W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-PDFN (5x6)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15.4A, 29.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1960pF @ 15V

功率-最大

1.13W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

540mA, 430mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

150pF @ 16V

功率-最大

250mW

工作溫度

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.58A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1495pF @ 10V

功率-最大

880mW

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

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