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TSM80N08CZ C0G

TSM80N08CZ C0G

僅供參考

型號 TSM80N08CZ C0G
PNEDA編號 TSM80N08CZ-C0G
描述 MOSFET N-CHANNEL 75V 80A TO220
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 17,568
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TSM80N08CZ C0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TSM80N08CZ C0G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TSM80N08CZ C0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)75V
電流-25°C時的連續漏極(Id)80A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs91.5nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3905pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)113.6W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220
包裝/箱TO-220-3

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16.5mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

72nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2130pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

19W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

175mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

38W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

850mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1030pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

44W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

29A (Ta), 32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

49nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2010pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

4.2W (Ta), 41W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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