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TT8J2TR

TT8J2TR

僅供參考

型號 TT8J2TR
PNEDA編號 TT8J2TR
描述 MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,618
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TT8J2TR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TT8J2TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
TT8J2TR, TT8J2TR數據表 (總頁數: 6, 大小: 211.2 KB)
PDFTT8J2TR數據表 封面
TT8J2TR數據表 頁面 2 TT8J2TR數據表 頁面 3 TT8J2TR數據表 頁面 4 TT8J2TR數據表 頁面 5 TT8J2TR數據表 頁面 6

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TT8J2TR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs84mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.8nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds460pF @ 10V
功率-最大1.25W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝8-TSST

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.7A, 3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A, 42A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1171pF @ 15V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3315pF @ 6V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1680pF @ 13V

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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