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TZM5259C-GS18

TZM5259C-GS18

僅供參考

型號 TZM5259C-GS18
PNEDA編號 TZM5259C-GS18
描述 DIODE ZENER 39V 500MW SOD80
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,712
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TZM5259C-GS18資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TZM5259C-GS18
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
TZM5259C-GS18, TZM5259C-GS18數據表 (總頁數: 6, 大小: 125.49 KB)
PDFTZM5267C-GS18數據表 封面
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TZM5259C-GS18規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)39V
公差±2%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)80 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 30V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 200mA
工作溫度175°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
供應商設備包裝SOD-80

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80 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 35.8V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

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功率-最大

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當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 11.4V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Microsemi

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公差

±10%

功率-最大

2W

阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

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制造商

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系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

4.3V

公差

±5%

功率-最大

2W

阻抗(最大值)(閽zt)

9 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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功率-最大

1W

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 22.8V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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