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APTM100A23SCTG

APTM100A23SCTG

僅供參考

型號 APTM100A23SCTG
PNEDA編號 APTM100A23SCTG
描述 MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,876
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM100A23SCTG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM100A23SCTG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
APTM100A23SCTG, APTM100A23SCTG數據表 (總頁數: 7, 大小: 295.3 KB)
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APTM100A23SCTG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓(Vdss)1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)36A
Rds On(Max)@ Id,Vgs270mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs308nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds8700pF @ 25V
功率-最大694W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP4
供應商設備包裝SP4

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.1Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

17pF @ 25V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

61mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 8.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 350µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

562pF @ 10V

功率-最大

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