US6M2GTR
僅供參考
| 型號 | US6M2GTR | ||||||||||||||||||
| PNEDA編號 | US6M2GTR | ||||||||||||||||||
| 描述 | 2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN | ||||||||||||||||||
| 制造商 | Rohm Semiconductor | ||||||||||||||||||
| 單價 |
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| 庫存 | 73 | ||||||||||||||||||
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 預計交貨 | 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* | ||||||||||||||||||
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US6M2GTR資源
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| 制造商零件編號 | US6M2GTR |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-陣列 |
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US6M2GTR規格
| 制造商 | Rohm Semiconductor |
| 系列 | - |
| FET類型 | N and P-Channel |
| FET功能 | Standard |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 30V, 20V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 1.5A, 1A |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 80pF @ 10V, 150pF @ 10V |
| 功率-最大 | 1W |
| 工作溫度 | 150°C |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 6-SMD, Flat Leads |
| 供應商設備包裝 | TUMT6 |
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