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DMG1026UVQ-7

DMG1026UVQ-7

僅供參考

型號 DMG1026UVQ-7
PNEDA編號 DMG1026UVQ-7
描述 MOSFET 2 N-CH 60V 440MA SOT563
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 7,830
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMG1026UVQ-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMG1026UVQ-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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DMG1026UVQ-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)440mA (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.8Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.8V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.45pC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds32pF @ 25V
功率-最大650mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-563

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

99A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 49.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

280nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14000pF @ 25V

功率-最大

781W

工作溫度

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.3A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

95mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

220pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A (Ta), 5.6A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 7.5A, 10V, 42mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA, 1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 4.5V, 12.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 15V, 1200pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

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Surface Mount

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制造商

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

725pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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