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UTV8100B

UTV8100B

僅供參考

型號 UTV8100B
PNEDA編號 UTV8100B
描述 RF TRANS NPN 60V 860MHZ 55RT
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,608
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UTV8100B資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UTV8100B
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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UTV8100B規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
頻率-過渡470MHz ~ 860MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益8.5dB ~ 9.5dB
功率-最大290W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 1A, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)15A
工作溫度200°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱55RT
供應商設備包裝55RT

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頻率-過渡

650MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3.3dB @ 100MHz

增益

24dB

功率-最大

125mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

65 @ 1mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

15mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-89, SOT-490

供應商設備包裝

SSMini3-F3-B

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

10GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.9dB @ 2GHz

增益

9.4dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 5mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

SOT-323

MSC1175M

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

頻率-過渡

1.025GHz ~ 1.15GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

8dB

功率-最大

400W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

工作溫度

250°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

M218

供應商設備包裝

M218

2N5179

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

200MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

4.5dB @ 200MHz

增益

20dB

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 3mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

供應商設備包裝

TO-72

SRF4427

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

18V

頻率-過渡

1.3GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

17dB ~ 18dB

功率-最大

1.5W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 150mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

400mA

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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