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VEC2616-TL-W

VEC2616-TL-W

僅供參考

型號 VEC2616-TL-W
PNEDA編號 VEC2616-TL-W
描述 MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 43,326
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VEC2616-TL-W資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VEC2616-TL-W
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
VEC2616-TL-W, VEC2616-TL-W數據表 (總頁數: 7, 大小: 1,077.57 KB)
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VEC2616-TL-W規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate, 4V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A, 2.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs80mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.6V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds505pF @ 20V
功率-最大1W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝SOT-28FL/VEC8

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34A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.71mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 20V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

210pF @ 15V

功率-最大

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2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14.1A, 20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.4mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 830mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

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