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VP0808B-E3

VP0808B-E3

僅供參考

型號 VP0808B-E3
PNEDA編號 VP0808B-E3
描述 MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205
制造商 Vishay Siliconix
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庫存 8,478
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VP0808B-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VP0808B-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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VP0808B-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)880mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds150pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)6.25W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-39
包裝/箱TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6Ohm @ 1.25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

334pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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FET類型

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40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

130A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 78A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5330pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 200W (Tc)

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

160nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6190pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.75W (Ta), 300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.5Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 32W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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