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VS-1N1200A

VS-1N1200A

僅供參考

型號 VS-1N1200A
PNEDA編號 VS-1N1200A
描述 DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,692
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-1N1200A資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-1N1200A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-1N1200A, VS-1N1200A數據表 (總頁數: 5, 大小: 126.06 KB)
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VS-1N1200A規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)12A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.35V @ 12A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr2.5mA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AA, DO-4, Stud
供應商設備包裝DO-203AA
工作溫度-結點-65°C ~ 200°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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600V

電流-平均整流(Io)

60A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.68V @ 60A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

81ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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工作溫度-結點

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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-

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45V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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