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VS-1N3890

VS-1N3890

僅供參考

型號 VS-1N3890
PNEDA編號 VS-1N3890
描述 DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,438
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-1N3890資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-1N3890
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-1N3890規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)12A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.4V @ 12A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)300ns
當前-反向泄漏@ Vr25µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AA, DO-4, Stud
供應商設備包裝DO-203AA
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

100ns

當前-反向泄漏@ Vr

8µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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30V

電流-平均整流(Io)

10A

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 30V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.15V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

243ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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當前-反向泄漏@ Vr

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