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VS-1N5820TR

VS-1N5820TR

僅供參考

型號 VS-1N5820TR
PNEDA編號 VS-1N5820TR
描述 DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,496
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 10 - 十一月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-1N5820TR資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-1N5820TR
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-1N5820TR, VS-1N5820TR數據表 (總頁數: 6, 大小: 112.22 KB)
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VS-1N5820TR規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)20V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果475mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr2mA @ 20V
電容@ Vr,F350pF @ 5V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AD, Axial
供應商設備包裝DO-201AD (C-16)
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

2-SMD, No Lead

供應商設備包裝

2010/DO-214AC

工作溫度-結點

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-220AC

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 300V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.69V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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