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VS-20ETF12FPPBF

VS-20ETF12FPPBF

僅供參考

型號 VS-20ETF12FPPBF
PNEDA編號 VS-20ETF12FPPBF
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220FP
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,706
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 18 - 十一月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-20ETF12FPPBF資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-20ETF12FPPBF
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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VS-20ETF12FPPBF規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)20A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.31V @ 20A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)400ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 1200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2 Full Pack
供應商設備包裝TO-220AC Full Pack
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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Standard

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 150A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

27µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

Die

供應商設備包裝

Sawn on foil

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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800V

電流-平均整流(Io)

2.1A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.2µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

37pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

4pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

35pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AC, DO-15, Axial

供應商設備包裝

DO-204AC (DO-15)

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

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