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VS-65EPS12LHM3

VS-65EPS12LHM3

僅供參考

型號 VS-65EPS12LHM3
PNEDA編號 VS-65EPS12LHM3
描述 DIODES - TO-247-E3
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 9,108
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-65EPS12LHM3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-65EPS12LHM3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-65EPS12LHM3, VS-65EPS12LHM3數據表 (總頁數: 7, 大小: 198.31 KB)
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VS-65EPS12LHM3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)65A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.12V @ 65A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 1200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-2
供應商設備包裝TO-247AD
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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600V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

154ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

25nA @ 225V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-213AA

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)

250mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 150mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 75V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

80A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 220A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 700mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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